IPD110N12N3GATMA1

Obrázok je orientačný, kontaktujte nás, aby ste získali skutočný obrázok

Časť výrobcu	IPD110N12N3GATMA1
Výrobca	IR (Infineon Technologies)
Popis	MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Kategória	diskrétne polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fets, mosfety - single
Životný cyklus:	New from this manufacturer.
Doručenie:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Platba	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Dátový hárok	IPD110N12N3GATMA1 PDF

Dostupnosť

Na sklade	266 416
Jednotková cena	$ 2.16000

IPD110N12N3GATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPD110N12N3GATMA1 technické údaje

Typ	Popis
séria:	OptiMOS™
balík:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stav dielu:	Active
typ fet:	N-Channel
technológie:	MOSFET (Metal Oxide)
odtokové napätie zdroja (vdss):	120 V
prúd - nepretržitý odber (id) @ 25°c:	75A (Tc)
napätie pohonu (max. rds zapnuté, min. rds zapnuté):	10V
rds na (max.) @ id, vgs:	11mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 83µA (Typ)
nabíjanie brány (qg) (max) @ vgs:	65 nC @ 10 V
vgs (max.):	±20V
vstupná kapacita (ciss) (max) @ vds:	4310 pF @ 60 V
funkcia fet:	-
strata energie (max):	136W (Tc)
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
dodávateľský balík zariadení:	PG-TO252-3
balík / puzdro:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.