IPAN65R650CEXKSA1

Obrázok je orientačný, kontaktujte nás, aby ste získali skutočný obrázok

Časť výrobcu	IPAN65R650CEXKSA1
Výrobca	IR (Infineon Technologies)
Popis	MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Kategória	diskrétne polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fets, mosfety - single
Životný cyklus:	New from this manufacturer.
Doručenie:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Platba	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Dátový hárok	IPAN65R650CEXKSA1 PDF

Dostupnosť

Na sklade	186 540
Jednotková cena	$ 0.67888

IPAN65R650CEXKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPAN65R650CEXKSA1 technické údaje

Typ	Popis
séria:	CoolMOS™
balík:	Tube
stav dielu:	Active
typ fet:	N-Channel
technológie:	MOSFET (Metal Oxide)
odtokové napätie zdroja (vdss):	650 V
prúd - nepretržitý odber (id) @ 25°c:	10.1A (Tc)
napätie pohonu (max. rds zapnuté, min. rds zapnuté):	10V
rds na (max.) @ id, vgs:	650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 210µA
nabíjanie brány (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (max.):	±20V
vstupná kapacita (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
funkcia fet:	Super Junction
strata energie (max):	28W (Tc)
Prevádzková teplota:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Through Hole
dodávateľský balík zariadení:	PG-TO220 Full Pack
balík / puzdro:	TO-220-3 Full Pack

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.