SIRA14BDP-T1-GE3

Obrázok je orientačný, kontaktujte nás, aby ste získali skutočný obrázok

Časť výrobcu	SIRA14BDP-T1-GE3
Výrobca	Vishay / Siliconix
Popis	MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Kategória	diskrétne polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fets, mosfety - single
Životný cyklus:	New from this manufacturer.
Doručenie:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Platba	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Dátový hárok	SIRA14BDP-T1-GE3 PDF

Dostupnosť

Na sklade	5 328
Jednotková cena	$ 0.54000

SIRA14BDP-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIRA14BDP-T1-GE3 technické údaje

Typ	Popis
séria:	TrenchFET® Gen IV
balík:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stav dielu:	Active
typ fet:	N-Channel
technológie:	MOSFET (Metal Oxide)
odtokové napätie zdroja (vdss):	30 V
prúd - nepretržitý odber (id) @ 25°c:	21A (Ta), 64A (Tc)
napätie pohonu (max. rds zapnuté, min. rds zapnuté):	4.5V, 10V
rds na (max.) @ id, vgs:	5.38mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
nabíjanie brány (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vgs (max.):	+20V, -16V
vstupná kapacita (ciss) (max) @ vds:	917 pF @ 15 V
funkcia fet:	-
strata energie (max):	3.7W (Ta), 36W (Tc)
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
dodávateľský balík zariadení:	PowerPAK® SO-8
balík / puzdro:	PowerPAK® SO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.