RGTH00TS65DGC11

Obrázok je orientačný, kontaktujte nás, aby ste získali skutočný obrázok

Časť výrobcu	RGTH00TS65DGC11
Výrobca	ROHM Semiconductor
Popis	IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Kategória	diskrétne polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - igbts - jeden
Životný cyklus:	New from this manufacturer.
Doručenie:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Platba	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Dátový hárok	RGTH00TS65DGC11 PDF

Dostupnosť

Na sklade	9
Jednotková cena	$ 4.86000

RGTH00TS65DGC11 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RGTH00TS65DGC11 technické údaje

Typ	Popis
séria:	-
balík:	Tube
stav dielu:	Active
typ igbt:	Trench Field Stop
napätie - porucha kolektor emitor (max):	650 V
prúd - kolektor (ic) (max):	85 A
prúd - kolektor impulzný (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 50A
výkon - max:	277 W
prepínanie energie:	-
typ vstupu:	Standard
poplatok za bránu:	94 nC
td (zap./vyp.) pri 25 °C:	39ns/143ns
skúšobná podmienka:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
reverzný čas zotavenia (trr):	54 ns
Prevádzková teplota:	-40°C ~ 175°C (TJ)
typ montáže:	Through Hole
balík / puzdro:	TO-247-3
dodávateľský balík zariadení:	TO-247N

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.