HGT1S10N120BNST

Obrázok je orientačný, kontaktujte nás, aby ste získali skutočný obrázok

Časť výrobcu	HGT1S10N120BNST
Výrobca	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Popis	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Kategória	diskrétne polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - igbts - jeden
Životný cyklus:	New from this manufacturer.
Doručenie:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Platba	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Dátový hárok	HGT1S10N120BNST PDF

Dostupnosť

Na sklade	961 885
Jednotková cena	$ 2.62000

HGT1S10N120BNST Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HGT1S10N120BNST technické údaje

Typ	Popis
séria:	-
balík:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stav dielu:	Active
typ igbt:	NPT
napätie - porucha kolektor emitor (max):	1200 V
prúd - kolektor (ic) (max):	35 A
prúd - kolektor impulzný (icm):	80 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 10A
výkon - max:	298 W
prepínanie energie:	320µJ (on), 800µJ (off)
typ vstupu:	Standard
poplatok za bránu:	100 nC
td (zap./vyp.) pri 25 °C:	23ns/165ns
skúšobná podmienka:	960V, 10A, 10Ohm, 15V
reverzný čas zotavenia (trr):	-
Prevádzková teplota:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	Surface Mount
balík / puzdro:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
dodávateľský balík zariadení:	TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.