BSM400D12P2G003

Obrázok je orientačný, kontaktujte nás, aby ste získali skutočný obrázok

Časť výrobcu	BSM400D12P2G003
Výrobca	ROHM Semiconductor
Popis	SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Kategória	diskrétne polovodičové produkty
Rodina	tranzistory - fets, mosfety - polia
Životný cyklus:	New from this manufacturer.
Doručenie:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Platba	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Dostupnosť

Na sklade	4
Jednotková cena	$ 2142.86000

BSM400D12P2G003 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSM400D12P2G003 technické údaje

Typ	Popis
séria:	-
balík:	Bulk
stav dielu:	Active
typ fet:	2 N-Channel (Half Bridge)
funkcia fet:	Silicon Carbide (SiC)
odtokové napätie zdroja (vdss):	1200V (1.2kV)
prúd - nepretržitý odber (id) @ 25°c:	400A (Tc)
rds na (max.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 85mA
nabíjanie brány (qg) (max) @ vgs:	-
vstupná kapacita (ciss) (max) @ vds:	38000pF @ 10V
výkon - max:	2450W (Tc)
Prevádzková teplota:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ montáže:	-
balík / puzdro:	Module
dodávateľský balík zariadení:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.